未分类 · 2023年2月22日

GD32的flash读、擦除、写操作

IP签名
1、在flash的前256K字节空间内,CPU执行指令零等待;在此范围外,CPU读取指令存在较长延时;
2、对于flash大于512KB(不包括等于512KB)的GD32F10x_CL和GD32F10x_XD,使用了两片闪存;前512KB容量在第一片闪存(bank0)中,后续的容量在第二片闪存(bank1)中;
3、对于flash容量小于等于512KB的GD32F10x_CL和GD32F10x_HD,只使用了bank0;
4、对 于 GD32F10x_MD , 闪 存 页 大 小 为 1KB 。 GD32F10x_CL 和 GD32F10x_HD ,GD32F10x_XD,bank0的闪存页大小为2KB,bank1的闪存页大小为4KB;
5、支持32位整字或16位半字编程,页擦除和整片擦除操作;

GD32的flash读操作

flash可以像普通存储空间一样直接寻址访问。

value=*(uint32_t*)FlashAddr;
uint16_t IAP_ReadFlag(void)
{
    return *(volatile uint16_t*)(FLASH_ADDR);  
}

GD32的flash擦除操作

页擦除

每一页可以被独立擦除,步骤如下:

  • 确保FMC_CTLx寄存器不处于锁定状态;
  • 检查FMC_STATx寄存器的BUSY位来判定闪存是否正处于擦写访问状态,若BUSY位为1,则需等待该操作结束,BUSY位变为0;
  • 置位FMC_CTLx寄存器的PER位;
  • 将待擦除页的绝对地址(0x08XX XXXX)写到FMC_ADDRx寄存器;
  • 通过将FMC_CTLx寄存器的START位置1来发送页擦除命令到FMC;
  • 等待擦除指令执行完毕,FMC_STATx寄存器的BUSY位清0;
  • 如果需要,使用DBUS读并验证该页是否擦除成功。
    代码上直接调用GD的库函数即可:

    void fmc_erase_page(uint32_t Page_Address)
    {
    fmc_unlock();  //fmc解锁
    /* clear all pending flags */
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
    
    /* erase the flash pages */
    fmc_page_erase(Page_Address);
    
    /* clear all pending flags */
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
    
    fmc_lock();  //fmc上锁
    }

    要擦除连续的几页:

    void fmc_erase_pages(void)
    {
    uint32_t erase_counter;
    
    /* unlock the flash program/erase controller */
    fmc_unlock();
    
    /* clear all pending flags */
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
    
    /* erase the flash pages */
    for(erase_counter = 0; erase_counter < page_num; erase_counter++){
        fmc_page_erase(FMC_WRITE_START_ADDR + (FMC_PAGE_SIZE * erase_counter));
        fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
        fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
        fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
    }
    
    /* lock the main FMC after the erase operation */
    fmc_lock();
    }

    整片擦除

    
    void fmc_erase_page(uint32_t Page_Address)
    {
    fmc_unlock();  //fmc解锁
    /* clear all pending flags */
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
    
    /* erase whole chip */
    fmc_mass_erase();
    
    /* clear all pending flags */
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
    
    fmc_lock();  //fmc上锁
    }
## GD32的flash写操作
往flash的某个地址写入数据前,一般要先擦除该地址。
16位半字编程:

void IAP_WriteFlag(uint16_t flag)
{
fmc_unlock();
fmc_page_erase(IAP_FLAG_ADDR);
fmc_halfword_program(IAP_FLAG_ADDR,flag);
fmc_lock();
}

32位整字编程:

void fmc_program(void)
{
/ unlock the flash program/erase controller /
fmc_unlock();

address = FMC_WRITE_START_ADDR;

/* program flash */
while(address < FMC_WRITE_END_ADDR){
    fmc_word_program(address, data0);
    address += 4;
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR); 
}

/* lock the main FMC after the program operation */
fmc_lock();

}


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原文链接:https://blog.csdn.net/qlexcel/article/details/118531806

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原文链接:https://blog.csdn.net/qlexcel/article/details/118531806